物理这门自然科学课程比较比较难学，靠死记硬背是学不会的，一字不差地背下来，出个题目还是照样不会作。那么，如何学好物理呢?那就需要一步一个脚印的扎扎实实的掌握住这些细节知识点，下面就和大家分享物理百科知识点-肖特基二极管讲解。
肖特基二极管是以其发明人华特‧肖特基博士(Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日)命名的，SBD是肖特基势垒二极管。
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅(SiO2)来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
上就是关于物理百科知识点-肖特基二极管讲解，由上文的讲解你会发现，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，希望大家能够通过上文的学习，能够理解并能区分开以上两者的区别。
